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Material Gehäuse

Material Messzelle

Genauigkeit

Messbereich

Ausgang

Gehäusedurchmesser

Messprinzip

Reinkeramik

Zulassung

P 133

Messbereich:

40 mbar bis 60 bar
400 mmWs bis 600 mWs

Ausgang:

4...20 mA, 0...10 V

Prozesstemperatur:

-25…80 °C, -20…70 °C bei EX ia IIC T4

Genauigkeit:

0,2%

P 133 PVDF

Messbereich:

40 mbar bis 60 bar
400 mmWs bis 600 mWs

Ausgang:

4...20 mA, 0...10 V

Prozesstemperatur:

-25…80 °C

Genauigkeit:

0,2%

P 133 PP

Messbereich:

40 mbar bis 60 bar
400 mmWs bis 600 mWs

Ausgang:

4...20 mA, 0...10 V

Prozesstemperatur:

-25…80 °C

Genauigkeit:

0,2%

P 135

Messbereich:

100 mbar bis 20 bar
1 mWs bis 200 mWs

Ausgang:

4...20 mA

Prozesstemperatur:

-25…80 °C, -20…70 °C bei EX ia IIC T4

Genauigkeit:

0,25%

P 135K

Messbereich:

100 mbar bis 20 bar
1 mWs bis 200 mWs

Ausgang:

4...20 mA

Prozesstemperatur:

-25…80 °C, -20…70 °C bei EX ia IIC T4

Genauigkeit:

0,3%

P 137

Messbereich:

250 mbar bis 20 bar
2,5 mWs bis 200 mWs

Ausgang:

4...20 mA, 0,5...4,5 V, 0...5 V, 0...10 V

Prozesstemperatur:

-25…80 °C

Genauigkeit:

0,5%

P 139

Messbereich:

100 mbar bis 20 bar
1 mWs bis 20 mWs

Ausgang:

4...20 mA

Prozesstemperatur:

-25…80 °C

Genauigkeit:

0,3%

P 142

Messbereich:

200 mbar bis 20 bar
2 mWs bis 200 mWs

Ausgang:

4...20 mA, Hart-Kommunikation

Prozesstemperatur:

-20…100 °C bei EX ia IIC T4

Genauigkeit:

0,25%

FS 1 / ERK 1.4

Messbereich:

Leitende Medien

Ausgang:

PNP Schaltausgang

Prozesstemperatur:

-40...150 °C

Genauigkeit:

na

FM 1

Messbereich:

> 20% Wasseranteil

Ausgang:

PNP Schaltausgang

Prozesstemperatur:

0…100 °C

Genauigkeit:

na